参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | UniFET™ | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 357W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 49m Ohms@26A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220AB | |
| 连续漏极电流Id | 52A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 200V | |
| 连续漏极电流Id | 52A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| 功率 | 357W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 49 毫欧 @ 26A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 174,000 |
| S-LP3407LT1G | 144,000 |
| LP2301LT1G | 123,200 |
| CRSM013N06N4Z | 91,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDP52N20 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 52A N-Channel 200V 52A(Tc) ±30V 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFB38N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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IRFB42N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.4W(Ta),330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 55mΩ@26A,10V N-Channel 200V 44A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUP57N20-33-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUP57N20-33-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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