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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 105nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7657pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6m Ohms@16A,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 连续漏极电流Id | 16A | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 16A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 105nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7657pF @ 10V | |
| 功率 | 2.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 毫欧 @ 16A,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SO | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 16 A | |
| 漏源极电压Vds | 20 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 栅极电压Vgs | -8 V、+8 V | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 2.5W | |
| 高度 | 1.50mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 封装/外壳 | 5.0*4.0*1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 7657 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 173 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 19.5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 5mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 159,000 |
| S-LP3407LT1G | 93,000 |
| LP2301LT1G | 66,200 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 60,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS6574A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.5W(Ta) 6m Ohms@16A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 16A 20V 16A(Ta) ±8V 6 毫欧 @ 16A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) N-Channel 16 A 20 V 6 m0hms -8 V、+8 V SOIC 增强 5.0*4.0*1.5mm 7657 pF @ 10 V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
20A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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