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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 132nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5200pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 160W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.9m Ohms@35A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| 连续漏极电流Id | 23A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 23A(Ta),160A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 132nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5200pF @ 15V | |
| 功率 | 160W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.9 毫欧 @ 35A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-263AB | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
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交期：
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IRLML6402TRPBF | 300,000 |
| IRFR024NTRPBF | 220,000 |
| NCE0102 | 210,000 |
| IRF640NPBF | 190,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 180,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDB8870 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
160W(Tc) 3.9m Ohms@35A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 23A N-Channel 30V 23A(Ta),160A(Tc) ±20V 3.9 毫欧 @ 35A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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