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通用MOSFET   1.5A(Ta) ±12V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ)

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制造商编号 FDN308P
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3t-FDN308P
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 20 V 125 mOhm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-3   翻译
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商品目录 通用MOSFET
系列 PowerTrench®
连续漏极电流Id 1.5A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 341pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 125m Ohms@1.5A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳 SuperSOT
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 1.5A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 341pF @ 10V
功率 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN308P ON Semiconductor 通用MOSFET

1.5A(Ta) ±12V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ)

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90: ¥0.5918
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¥0.5819 

阶梯数 价格
90: ¥0.5819
200: ¥0.4745
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¥0.3437 

阶梯数 价格
150: ¥0.3437
200: ¥0.2563
1,500: ¥0.2219
3,000: ¥0.1977
4,459 对比
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