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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2525pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 80W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.7m Ohms@35A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| 连续漏极电流Id | 17A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 17A(Ta),94A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2525pF @ 15V | |
| 功率 | 80W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.7 毫欧 @ 35A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252AA | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
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交期：
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 159,000 |
| S-LP3407LT1G | 93,000 |
| LP2301LT1G | 66,200 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 60,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDD8896 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
80W(Tc) 5.7m Ohms@35A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 17A N-Channel 30V 17A(Ta),94A(Tc) ±20V 5.7 毫欧 @ 35A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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AOD418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 30V ±20V 36A 50W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥3.0612
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2,496 | 对比 | ||||||||||
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IRLR8726TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 86A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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IRLR8726PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@25A,10V N-Channel 30V 86A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PHD101NQ03LT,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 166W 175°C 1.9V 30V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR3709ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 86A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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