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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® | |
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta),29A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1770pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 135W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 54m Ohms@9A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| 漏源极电压Vds | 150V | |
| 连续漏极电流Id | 4A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 29 A | |
| 漏源极电压Vds | 150 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 146 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 135 W | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 漏源极电压Vds | 1770 pF @ 25 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 封装/外壳 | 6.73*6.22*2.39mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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交期：
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 159,000 |
| S-LP3407LT1G | 93,000 |
| LP2301LT1G | 66,200 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 60,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDD2572_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta),29A(Tc) ±20V 135W(Tc) 54m Ohms@9A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 150V 4A N-Channel 29 A 150 V 146 m0hms -20 V、+20 V DPAK (TO-252) 增强 1770 pF @ 25 V 6.73*6.22*2.39mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 13 | 对比 |
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SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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