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制造商编号 HUFA75307T3ST
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3t-HUFA75307T3ST
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
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封装/外壳 SOT-223-3
系列 HuFA75307
FET类型 Enhancement
下降时间 30 ns
最低工作温度 - 55 C
标准包装数量 4000
标准断开延迟时间 35 ns
漏源极电压Vds 55 V
栅极电压Vgs 20V
连续漏极电流Id 2.6 A
Rds On(Max)@Id,Vgs 90 m0hms
配置 Single Dual Drain
最高工作温度 + 150 C
1.1 W Pd - 功率消耗
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 55V
连续漏极电流Id 2.6A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 20V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V
功率 1.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 90 毫欧 @ 2.6A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-223-4
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
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