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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 4 A | |
| 漏源极电压Vds | 20 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 栅极电压Vgs | -8 V、+8 V | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 1.2W | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 封装/外壳 | 3.0*1.7*1.0mm | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 630 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 23.2 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期：
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ADS1115BQDGSRQ1 | 480 |
| XT60H-M | 363 |
| ID09S33E4GV00LF | 348 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDC642P_F085 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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