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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 20 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 199 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 封装/外壳 | TO-220 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 功率 | 208 W | |
| 典型关断延迟时间 | 64 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 宽度 | 4.672mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 漏源极电压Vds | 2220 pF @ 25 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 15.215mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 封装/外壳 | 10.36*4.672*15.215mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ADS1115BQDGSRQ1 | 480 |
| XT60H-M | 363 |
| ID09S33E4GV00LF | 348 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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FCP190N60_GF102 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥6.842
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118 | 对比 |
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