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通用MOSFET   100A(Tc) ±20V 227W(Tj) 4.2m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 80V 100A

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制造商编号 FDD86367_F085
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3t-FDD86367_F085
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FDD86367 Series 80 V 100 A 4.2 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - DPAK-3   翻译
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商品目录 通用MOSFET
系列 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench®
连续漏极电流Id 100A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4840pF @ 40V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 227W(Tj)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2m Ohms@80A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63
封装/外壳 DPAK
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 80V
连续漏极电流Id 100A
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