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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 系列 | FDS | |
| 高度 | 1.75 mm | |
| 长度 | 4.9 mm | |
| 宽度 | 3.9 mm | |
| 零件号别名 | FDS6982AS_NL | |
| 配置 | Dual Dual Drain | |
| 下降时间 | 3 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 上升时间 | 7 ns | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 通道数量 | 2 Channel | |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns | |
| 正向跨导-最小值 | 32 S, 19 S | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ@6.3A,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 610pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 6.3A,8.6A | |
| 连续漏极电流Id | 6.3 A,8.6 A | |
| 漏源极电压Vds | 30 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 m0hms,28 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 2W | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns, 27 ns | |
| 漏源极电压Vds | 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | PowerTrench, SyncFET | |
| 宽度 | 3.99mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.50mm | |
| 封装/外壳 | 5.0*3.99*1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
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交期：
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LN4812LT1G | 270,000 |
| LBSS8402DW1T1G | 213,955 |
| 2N7002BK，215 | 201,100 |
| BSS84AK,215 | 126,010 |
| S-L2N7002SLT1G | 60,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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