| 制造商编号 | SSM3J328R,LF |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A3t-SSM3J328R,LF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 29.8 毫欧 @ 3A,4.5V | |
| Vgs(th) | 1V @ 1mA | |
| Vgs(最大值) | ±8V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 840 pF @ 10 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.8 nC @ 4.5 V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | SOT-23F | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源极电压Vds | 20 V | |
| 连续漏极电流Id | 6A(Ta) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.5V,4.5V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
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交期：
请咨询客服
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采用绕线工艺与磁屏蔽结构，具有良好的共模噪声抑制能力
高耐压、高电流承载能力与优异的抗浪涌性能，专为交流开关控制场景设计，
高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 174,000 |
| S-LP3407LT1G | 144,000 |
| LP2301LT1G | 123,200 |
| CRSM013N06N4Z | 91,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3J328R,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 20 V 6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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