| 制造商编号 | TK35E08N1 |
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| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A3t-TK35E08N1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35E08N1, 55 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 55 A | |
| 漏源极电压Vds | 80 V | |
| 导通电阻Rds(On) | 12.2 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 4V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | TO-220 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 72W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 系列 | TK | |
| 封装/外壳 | 10.16*4.45*15.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 漏源极电压Vds | 1700 pF @ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 晶体管材料 | Si |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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交期：
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4 Pin 长爬电距离 SOP 封装光晶体管光耦
128M-bit（16MB）SPI NOR Flash，器件支持标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI
2.0mm间距的防水型线对线连接器
面向汽车电子应用，专为额定电压1,000V及以上的高压回路设计
专为高温、高湿及高可靠性场景设计,最高工作温度125℃
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AW25000003 | 27,000 |
| PESD5V5C1BBSF-QYL | 9,000 |
| HEF4894BT/S400,118 | 4,000 |
| AMCW3225P-2-242T | 2,647 |
| HF3F-L/5-1HL1T | 1,142 |
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