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功率MOSFET   3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ

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制造商编号 SI9945BDY-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-SI9945BDY-T1-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
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商品目录 功率MOSFET
零件号别名 SI9945BDY-GE3
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 665pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOIC-8
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 4.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ
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商品简介

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ

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