| 制造商编号 | PESD3V3S2UQ,115 |
|---|---|
| 商品别名 | PESD3V3S2UQ |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PESD3V3S2UQ,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
PESDxS2UQ Series 20 V 275 pF SMT Double ESD Protection Diode - SOT-663
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| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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数据手册 |
PESD3V3S2UQ_SOT663 5.2V 20V 3.3V 15A -65℃~150℃ 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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数据手册 |
SOT-323 8.5V 5.5V -40℃~85℃ 单向 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
SOT-323 8.5V 5.5V -40℃~85℃ 单向 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | ESD抑制器 | |
| 封装/外壳 | SOT663 | |
| 反向击穿电压Vbr | 5.2V | |
| 钳位电压Vc | 20V | |
| 反向工作电压Vrwm | 3.3V | |
| 峰值脉冲电流Ipp | 15A | |
| 工作温度 | -65℃~150℃ | |
| 产品特性 | 车规 |
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高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| S-LR2105LT1G | 261,000 |
| LESD11LL5.0CT5G | 90,000 |
| LGSOT12CLT1G | 39,000 |
| LESD8LL3.3CT5G | 20,000 |
| S-LR1LINT1G | 12,000 |
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