| 制造商编号 | PMDPB58UPE,115 |
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| 商品别名 | PMDPB58UPE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PMDPB58UPE,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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数据手册 |
PMDPB58UPE_SOT1118 P-Channel 0.515W -55°C~150℃ ±8V -20V -4.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||
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数据手册 |
2P-Channel U-DFN2020-6(B 类) -55℃~150℃(TJ) 20V 4.5A(Ta) |
￥0.5815
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42,000 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
2P-Channel U-DFN2020-6(B 类) -55℃~150℃(TJ) 20V 4.5A(Ta) |
￥0.7851
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23,989 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
DFN 2x2 P-Channel -20V ±8V -3A 1.1W 120mΩ@-3A,-4.5V -55°C~150°C |
￥1.507
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944 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
DFN 2x2 P-Channel -20V ±8V -3A 1.1W 120mΩ@-3A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150℃(TJ) 20V |
￥4.7817
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2,454 | 对比 |
| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT1118 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 67mΩ@2A,4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.515W | |
| 工作温度 | -55°C~150℃ | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 输入电容 | 804pF | |
| 输出电容 | 95pF | |
| 连续漏极电流Id | -4.5A |
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高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002KLT1G | 183,100 |
| L2N7002LT1G | 180,550 |
| L2SK3018WT1G | 150,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 105,000 |
| S-L2N7002SLT1G | 42,000 |
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