| 制造商编号 | PSMN015-100P,127 |
|---|---|
| 商品别名 | PSMN015-100P |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PSMN015-100P,127 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
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| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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数据手册 |
SOT78 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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数据手册 |
TO-220-3 |
暂无价格 | 40,000 | 对比 | |
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数据手册 |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB |
暂无价格 | 1,030 | 对比 | |
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数据手册 |
±20V 130W(Tc) 44mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 33A 100V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | |
|
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数据手册 |
±20V 370W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 180A 100V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | |
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数据手册 |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT78 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 15mΩ@10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W | |
| 工作温度 | 175°C | |
| 栅极电压Vgs | 3V | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 输入电容 | 4900pF | |
| 输出电容 | 390pF | |
| 连续漏极电流Id | 75A |
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高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
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