| 制造商编号 | PMDT670UPE,115 |
|---|---|
| 商品别名 | PMDT670UPE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PMDT670UPE,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
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| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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数据手册 |
PMDT670UPE_SOT666 P-Channel 0.33W 150℃ 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||||
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数据手册 |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃ |
￥3.0185
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8,000 | 对比 | |||||||||||||||||
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数据手册 |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃ |
￥3.0185
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7,600 | 对比 | |||||||||||||||||
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数据手册 |
750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A |
￥0.5752
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3,759 | 对比 | |||||||||||||||||
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数据手册 |
2P-Channel SOT-563 -65℃~150℃(TJ) 20V 530mA |
￥0.6019
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178 | 对比 | |||||||||||||||||
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数据手册 |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 46 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT666 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.33W | |
| 工作温度 | 150℃ | |
| 栅极电压Vgs | 8V,-0.8V | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 输入电容 | 58pF | |
| 输出电容 | 21pF | |
| 连续漏极电流Id | -0.55A |
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高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2SK3018WT1G | 381,001 |
| L2N7002LT1G | 210,550 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 60,000 |
| S-L2N7002SLT1G | 51,000 |
| PMZ600UNEYL | 15,000 |
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