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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100m Ohms@4A,10V | |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | |
| 连续漏极电流Id | 4A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 30V | |
| 功率 | 3W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100 毫欧 @ 4A,10V | |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | |
| 连续漏极电流Id | 4 A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | SOT-223 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 功率 | 3W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 正向跨导 | 6S | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 封装/外壳 | 6.7*3.7*1.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 250 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量： 30 | 倍数：1 |
生产日期 : 25+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LP2301LT1G | 330,000 |
| CRSM013N06N4Z | 160,000 |
| LP2305DSLT1G | 48,000 |
| PJA3461-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| S-LP3407LT1G | 15,015 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V |
￥1.837
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5,593 | 当前型号 | |||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.529
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7,623 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
￥1.0791
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2,397 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSP318S H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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