制造商编号 | W25Q128JVEIQ |
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制 造 商 | Winbond(华邦电子) |
唯样编号 | A36-W25Q128JVEIQ-1 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) WSON-8
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 非易失闪存(NOR Flash) | |
存储器类型 | 非易失 | |
存储器格式 | 闪存 | |
存储容量 | 128Mb (16M x 8) | |
时钟频率 | 133MHz | |
写周期时间 - 字,页 | 3ms | |
存储器接口 | SPI - 四 I/O | |
电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V | |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 | |
封装/外壳 | 8-WSON(8x6) | |
封装/外壳 | WSON-8 | |
系列 | W25Q128JV | |
存储容量 | 128 Mbit | |
最大时钟频率 | 133 MHz | |
接口类型 | SPI | |
组织 | 16 M x 8 | |
定时类型 | Asynchronous | |
数据总线宽度 | 8 bit | |
电源电压-最小 | 2.7 V | |
电源电压-最大 | 3.6 V | |
电源电流—最大值 | 25 mA | |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
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W25Q128JVEIQ
自营库存:0
W25Q128JVEIQ
严选库存:0
高性能6轴运动跟踪IMU,集成了3轴MEMS陀螺仪和3轴MEMS加速度计
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
针对高电压、大功率应用场景设计,典型产品覆盖电压范围大于400V
先进G3 SiC技术,优异的开关性能与高温稳定性
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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GD25D10CTIGR | 15,000 |
GD25Q128ESIGR | 4,000 |
GD25Q80EEIGR | 3,000 |
GD25Q127CSIGR | 556 |
GD25LQ128ESIGR | 510 |