参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10.5A(Ta),18A(Tc) | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V,10V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 15 毫欧 @ 10.5A,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±12V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 813pF @ 15V | |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W(Ta),20.8W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
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