参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 7.7A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 30mΩ | |
| VGS(th) | 2.6 | |
| Ciss(pF) | 373 | |
| Coss(pF) | 67 | |
| Crss(pF) | 41 | |
| Qg*(nC) | 3.5 | |
| Qgd(nC) | 1.7 | |
| Td(on)(ns) | 4.5 | |
| Td(off)(ns) | 14.9 | |
| Trr(ns) | 10.5 | |
| Qrr(nC) | 4.5 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量： 50 | 倍数：1 |
生产日期 : 20+
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
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2,403 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 37,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
|
1,990 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
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1,452 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXMN3A04DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.81W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.5A |
￥4.3648
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500 | 对比 |
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