| 制造商编号 | BZT52H-C12,115 |
|---|---|
| 商品别名 | BZT52H-C12 |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-BZT52H-C12,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
BZT52H Series 12 V 375 mW Surface Mount Single Zener Diode - SOD-123F
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 稳压(齐纳)二极管 | |
| 系列 | BZT52H-C | |
| 封装/外壳 | SOD123F | |
| 齐纳电压Vz | 12V | |
| 功率 | 830mW | |
| 测试电流It | 5mA | |
| 容差 | ±5% | |
| 齐纳阻抗Zzt | 10 Ohms | |
| 反向漏电流Ir | 100nA @ 8V | |
| 工作温度 | -65℃~150℃ | |
| 尺寸 | 2.6 x 1.6 x 1.1 | |
| 正向电流If | 250mA |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：90 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LM3Z6V8T1G | 150,000 |
| BZX84-B6V8,215 | 102,000 |
| ZMM16V | 100,000 |
| LUDZS15BT1G | 93,000 |
| BZX384-B3V0,115 | 87,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BZT52H-C12,115 | Nexperia | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
BZT52H-C12_SOD123F 12V 830mW ±5% 10 Ohms 100nA @ 8V -65℃~150℃ |
￥0.5995
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4,705 | 当前型号 | ||||||||||
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DFLZ12-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
PowerDI™ 123 1W ±5% 3uA @ 9.1V 7 Ohms 12V -55℃~150℃ |
￥0.8723
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5,006 | 对比 | ||||||||||
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DDZ9699-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
SOD-123 500mW ±5% 50nA @ 9.1V 12V -65℃~150℃ |
￥0.216
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3,105 | 对比 | ||||||||||
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DDZ12B-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
SOD-123 310mW ±2.5% 100nA @ 9.1V 12 Ohms 12V -65℃~150℃ |
￥0.3406
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
|
BZD27C12P-E3-08 | Vishay | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
3uA @ 9.1V DO-219AB 800mW -65℃~175℃ 12V 7 Ohms |
￥0.8899
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2,868 | 对比 | ||||||||||
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DDZ12C-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
SOD-123 500mW ±3% 100nA @ 9.1V 12 Ohms 12V -65℃~150℃ |
￥0.243
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2,419 | 对比 |
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