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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | Yes | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 10.5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 23mΩ | |
| VGS(th) | 2.4 | |
| Ciss(pF) | 690 | |
| Coss(pF) | 105 | |
| Crss(pF) | 80 | |
| Qg*(nC) | 7.5 | |
| Qgd(nC) | 3 | |
| Td(on)(ns) | 5 | |
| Td(off)(ns) | 19 | |
| Trr(ns) | 7.5 | |
| Qrr(nC) | 11.5 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：50 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 405,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,055 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 N-Channel 30V 20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10V |
￥1.0604
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1,832 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ1E100XNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 550mW(Ta) 10.5mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SMD |
￥5.1266
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2,980 | 对比 | ||||||||||||||
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AON4420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) N-Channel ±20V 20 mΩ @ 10A,10V 8-DFN(3x2) 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ1E100XNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 550mW(Ta) 10.5mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SMD |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ1E075XNTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 1.1W(Ta) TSMT8 150℃(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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