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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 13A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.5mΩ@12A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.1075
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.1075
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2,020 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7807ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.8mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406AL_103 | AOS | 功率MOSFET |
13A(Tc) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 12A,10V 8-SOIC 3.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
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DMG4812SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.54W(Ta) ±12V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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