参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 10.5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@10.5A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 23mΩ | |
| VGS(th) | 2.4 | |
| Ciss(pF) | 740 | |
| Coss(pF) | 110 | |
| Crss(pF) | 82 | |
| Qg*(nC) | 7.5 | |
| Qgd(nC) | 3 | |
| Td(on)(ns) | 5 | |
| Td(off)(ns) | 19 | |
| Trr(ns) | 18 | |
| Qrr(nC) | 9 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：70 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| GP3139 | 93,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| S-LP80N04D2 | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃ |
￥0.8261
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620 | 当前型号 | ||||||||
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DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.55W(Ta) ±12V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 11A(Ta) |
￥0.8748
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3,789 | 对比 | ||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.46W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8A(Ta) |
￥1.375
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2,290 | 对比 | ||||||||
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IRF7413TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IRF8707GTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 11A 17.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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