制造商编号 | TK16A60W,S4VX(M |
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制 造 商 | Toshiba(东芝) |
唯样编号 | A36-TK16A60W,S4VX(M |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
连续漏极电流Id | 15.8 A | |
漏源极电压Vds | 600V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 190 m0hms | |
栅极电压Vgs | 3.7V | |
栅极电压Vgs | ±30V | |
晶体管配置 | 单 | |
引脚数目 | 3 | |
FET类型 | 增强 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
功率 | 40W | |
高度 | 15mm | |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
最高工作温度 | +150 °C | |
长度 | 10mm | |
系列 | TK | |
宽度 | 4.5mm | |
晶体管材料 | Si | |
漏源极电压Vds | 1350 pF @ 300 V | |
典型关断延迟时间 | 100 ns | |
典型接通延迟时间 | 50 ns | |
封装/外壳 | 10.0*4.5*15.0mm |
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¥2
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单价:¥ 总价:¥ |
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最小包:2,500
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交期: 3天-15天 |
起订量:9 | 倍数:1 |
生产日期 : 5年内
抗噪声 RS-485/RS-422 全双工/半双工收发器,能够运用在恶劣的工业环境中
高性能6轴运动跟踪IMU,集成了3轴MEMS陀螺仪和3轴MEMS加速度计
汽车级可编程霍尔效应数字传感器,专为严苛环境下的高性能应用设计
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 315,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
GP3134K | 24,000 |
LP3418DT2AG | 24,000 |
PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |