参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 连续漏极电流Id | -5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ@-4A,-4.5V | |
| VGS(th) | -0.9 | |
| Ciss(pF) | 751 | |
| Coss(pF) | 115 | |
| Crss(pF) | 80 | |
| Qg*(nC) | 9.3 | |
| Qgd(nC) | 2.2 | |
| Td(on)(ns) | 13 | |
| Td(off)(ns) | 19 | |
| Trr(ns) | 26 | |
| Qrr(nC) | 51 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 25+
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| GP3139 | 93,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| S-LP80N04D2 | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55℃~150℃ |
￥0.6402
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10,330 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMV33UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV33UPE_SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3A |
￥2.2153
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200,964 | 对比 | ||||||||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65XP_SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C ~ 150°C ±12V -20V -2.8A |
￥0.645
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195,378 | 对比 | ||||||||||||
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DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.9A 1.2W 35mΩ 20V 400mV P-Channel |
￥0.5239
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4,146 | 对比 | ||||||||||||
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DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
￥0.6193
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3,003 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4A 900mW 39mΩ@4A,4.5V 20V ±8V P-Channel |
￥0.6424
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1,196 | 对比 |
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