| 制造商编号 | SI4825DDY-T1-GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
|
| 唯样编号 | A36-SI4825DDY-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Si4825DDY Series P-Channel 30 V 12.5 mOhm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
|
| PDF资料下载 |
|---|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | TrenchFET® | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 14.9A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2550pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.7W(Ta),5W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.5mΩ@10A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 10.9A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.5mΩ |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
|
￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
|
|
|
单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
|
最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
|
交期： 3天-15天 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
低正向压降，低漏电流，高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 621,000 |
| PJA3430_R1_00001 | 60,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 32,270 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ |
￥2.134
|
1,945 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A |
￥2.002
|
2,556 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AO4335 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AO4435L_102 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
