| 制造商编号 | SI7431DP-T1-GE3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-SI7431DP-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Si7431DP Series 200 V 0.174 Ohm SMT P-Channel MOSFET - PowerPAK SO-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 135nC @ 10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | |
| 连续漏极电流Id | 3.6A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.9W | |
| Qg-栅极电荷 | 88nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 147mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 200V | |
| 栅极电压Vgs | 4V | |
| 上升时间 | 49ns | |
| 下降时间 | 66ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 110ns | |
| 典型接通延迟时间 | 23ns | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 17S | |
| 系列 | SI7 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 高度 | 1.04mm |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：5 | 倍数：1 |
生产日期 : 24+
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
低正向压降，低漏电流，高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
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