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功率MOSFET   5.1A(Tc) P-Channel 74 mOhms @ 4.1A,10V 3W(Tc) TSOT-23-6 -55℃~150℃ 30V

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 SI3457CDV-T1-E3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-SI3457CDV-T1-E3
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single P-Channel 30 V 74 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
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5.1A(Tc) P-Channel 74 mOhms @ 4.1A,10V 3W(Tc) TSOT-23-6 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
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±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A

¥0.9792 

阶梯数 价格
60: ¥0.9792
200: ¥0.7524
1,500: ¥0.6544
3,000: ¥0.6089
6,744 对比
 数据手册

P-Channel 1.25W(Ta) ±12V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.8A(Ta)

¥0.6475 

阶梯数 价格
80: ¥0.6475
200: ¥0.5277
1,500: ¥0.4797
3,000: ¥0.4482
5,950 对比
 数据手册

±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A

¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8426
1,500: ¥0.7337
2,374 对比
 数据手册

±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A

暂无价格 0 对比
 数据手册

±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 5.1A(Tc)
FET类型 P-Channel
Vgs(最大值) ±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs 74 mOhms @ 4.1A,10V
Vgs(th) 3V @ 250uA
Pd-功率耗散(Max) 3W(Tc)
封装/外壳 TSOT-23-6
工作温度 -55℃~150℃
漏源极电压Vds 30V
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