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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管 | |
| FET类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 22k | |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 5mA,10V | |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | |
| FET类型 | NPN | |
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 22k | |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 5mA,10V | |
| 封装/外壳 | SC-88 |
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| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MUN5212DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 |
null |
￥0.6292
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3,692 | 当前型号 | |||||||||||||
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PUMH1,115 | Nexperia | 数据手册 | 通用三极管 |
PUMH1_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 60 230MHz |
￥0.2245
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30,000 | 对比 | ||||||||||||
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PUMH11,115 | Nexperia | 数据手册 | 通用三极管 |
PUMH11_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 30 230MHz |
￥0.2245
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD2,115 | Nexperia | 数据手册 | 通用三极管 |
PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz |
￥0.3031
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10,893 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用三极管 |
SOT-363 150mW NPN 50V 100mA 300mV 30 250MHz |
￥0.8254
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1,080 | 对比 | ||||||||||||
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UMH1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用三极管 |
SOT-363 150mW NPN 50V 100mA 300mV 56 250MHz |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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