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功率MOSFET   SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A

图像仅供参考 请参阅产品规格
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制造商编号 NTJD4152PT1G
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A36-NTJD4152PT1G
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363   翻译
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SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A

¥0.6633 

阶梯数 价格
80: ¥0.6633
84 当前型号
 数据手册

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

¥0.6369 

阶梯数 价格
80: ¥0.6369
200: ¥0.5187
1,500: ¥0.4719
2,037 对比

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
 数据手册

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

暂无价格 0 对比
 数据手册

SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A

暂无价格 0 对比
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1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 SOT-363
FET类型 P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs 260mΩ@880mA,4.5V
Pd-功率耗散(Max) 272mW
工作温度 -55°C~150°C
栅极电压Vgs ±12V
漏源极电压Vds -20V
连续漏极电流Id -0.88A
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