制造商编号 | SI3456DDV-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SI3456DDV-T1-GE3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
连续漏极电流Id | 6.3A(Tc) | |
FET类型 | N-Channel | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 40 mOhms @ 5A,10V | |
Vgs(th) | 3V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) | |
封装/外壳 | TSOT-23-6 | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
漏源极电压Vds | 30V |
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高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 621,000 |
PJA3430_R1_00001 | 60,000 |
AONR21357_203 | 60,000 |
PXN012-60QLJ | 32,270 |
PJA3438-AU_R1_000A1 | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI3456DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.3A(Tc) N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) TSOT-23-6 -55℃~150℃ 30V |
暂无价格 | 33 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
¥0.6342
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9,795 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
¥0.5921
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9,162 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃ |
¥1.5385
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2,979 | 对比 | ||||||||||||
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RQ6E045SNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150℃(TJ) 30V |
¥1.974
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2,969 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃ |
¥0.9009
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2,937 | 对比 |