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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 10A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 50V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产日期 : 24+
超低噪声、低输入电压、高电源抑制比 (PSRR) 和低压差线性稳压器
采用先进合金材料，1mΩ超低阻值与5W高功率特性相结合
抗噪声 RS-485/RS-422 全双工/半双工收发器，能够运用在恶劣的工业环境中
高性能6轴运动跟踪IMU，集成了3轴MEMS陀螺仪和3轴MEMS加速度计
汽车级可编程霍尔效应数字传感器，专为严苛环境下的高性能应用设计
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STF10NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
￥3.113
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1,000 | 当前型号 | ||||||||
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IPA80R450P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPA80R450P7XKSA1_800V 11A(Tc) ±20V 29W(Tc) 450mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||||
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AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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TK13A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 50W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 600 V 13A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOTF12T60P | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A(Tc) N-Channel ±30V 520 mΩ @ 6A,10V TO-220-3F 50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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