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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
系列 | RTR | |
高度 | 0.85 mm | |
长度 | 2.9 mm | |
宽度 | 1.6 mm | |
配置 | Single | |
下降时间 | 10 ns | |
典型接通延迟时间 | 9 ns | |
上升时间 | 15 ns | |
通道数量 | 1 Channel | |
典型关闭延迟时间 | 25 ns | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.6nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 220pF @ 10V | |
栅极电压Vgs | 12V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 92mΩ@2.5A,4.5V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TSMT | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 2.5A |
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专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 2 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃ |
¥0.572
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280,520 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3051L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A |
¥0.5782
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60,577 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A |
¥0.5984
|
27,361 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | |||||||||||||
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ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta) |
¥1.661
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5,668 | 对比 |