| 制造商编号 | PSMN6R0-30YLDX |
|---|---|
| 商品别名 | PSMN6R0-30YLD |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PSMN6R0-30YLDX |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
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| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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数据手册 |
PSMN6R0-30YLD_SOT669 N-Channel 47W -55°C~175°C ±20V 30V 66A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
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PH5830DL_SOT669 N-Channel |
￥5.4807
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0 | 对比 |
| PDF资料下载 |
|---|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT669 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6mΩ@15A,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 47W | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 输入电容 | 832pF | |
| 输出电容 | 587pF | |
| 连续漏极电流Id | 66A |
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高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 405,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,055 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
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