| 制造商编号 | MT47H64M16NF-25E:M |
|---|---|
| 制 造 商 | Micron(美光科技) |
| 唯样编号 | A36-MT47H64M16NF-25E:M |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
84-TFBGA
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| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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数据手册 |
84-TFBGA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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数据手册 |
84-TWBGA(8x12.5) |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | |
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数据手册 |
84-TWBGA(8x12.5) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 异步动态随机存储器(DRAM) | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | DRAM | |
| 时钟频率 | 400MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | |
| 访问时间 | 400ps | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 电压 - 电源 | 1.7 V ~ 1.9 V | |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C(TC) | |
| 封装/外壳 | 84-TFBGA | |
| 存储容量 | 1 Gbit | |
| 数据总线宽度 | 16 bit | |
| 最大时钟频率 | 800 MHz | |
| 电源电压-最大 | 1.9 V | |
| 电源电压-最小 | 1.7 V | |
| 电源电流—最大值 | 95 mA | |
| 系列 | MT47H | |
| 组织 | 64 M x 16 |
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