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通用MOSFET   1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 FDN357N
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A36-FDN357N
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor   翻译
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推荐型号

图片 商品 数据手册 关键参数 单价 库存 操作

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
100: ¥1.0791
750: ¥0.8998
1,500: ¥0.8184
3,000: ¥0.7579
6,000 当前型号
 数据手册

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.6201 

阶梯数 价格
90: ¥0.6201
200: ¥0.4004
1,500: ¥0.3484
3,000: ¥0.3081
88,862 对比
 数据手册

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
100: ¥0.5044
500: ¥0.4589
2,500: ¥0.4251
5,000: ¥0.3965
10,000: ¥0.364
15,120 对比
 数据手册

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
15,000 对比
 数据手册

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6357 

阶梯数 价格
80: ¥0.6357
200: ¥0.4108
1,500: ¥0.3575
3,000: ¥0.3159
8,675 对比
 数据手册

SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V

¥0.627 

阶梯数 价格
80: ¥0.627
200: ¥0.5109
1,500: ¥0.4641
3,000: ¥0.4342
5,608 对比

数据手册

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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 1.9A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60m Ohms@2.2A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳 SuperSOT
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 1.9A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V
功率 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 2.2A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
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