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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 12V | |
| 连续漏极电流Id | 32A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 26W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 4.9mΩ | |
| VGS(th) | 1.9 | |
| Ciss(pF) | 2005 | |
| Coss(pF) | 430 | |
| Crss(pF) | 50 | |
| Qg*(nC) | 13.5 | |
| Qgd(nC) | 3.5 | |
| Trr(ns) | 12 | |
| Qrr(nC) | 21 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
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