| 制造商编号 | SI4214DDY-T1-GE3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-SI4214DDY-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 8.5A | |
| FET类型 | 2N-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19.5 mOhms @ 8A,10V | |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | |
| 漏源极电压Vds | 30V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产日期 : 23+
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能，具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V |
￥1.969
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24,578 | 当前型号 | ||||||||||
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BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSO220N03MD G_2 N-通道(双) 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4818BL | AOS | 功率MOSFET |
8A(Ta) 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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BSO220N03MD G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSO220N03MDGXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.7A 18.3mΩ 20V 2W 2N-Channel 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4822AL | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4914_101 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2N-Channel 20.5 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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