制造商编号 | SI4166DY-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SI4166DY-T1-GE3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
连续漏极电流Id | 30.5A(Tc) | |
FET类型 | N-Channel | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.9 mOhms @ 15A,10V | |
Vgs(th) | 2.4V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),6.5W(Tc) | |
封装/外壳 | 8-SOIC | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
漏源极电压Vds | 30V |
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高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 381,000 |
AONR21357_203 | 60,000 |
PXN012-60QLJ | 15,190 |
PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
LN1482WT1G | 9,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
30.5A(Tc) N-Channel 3.9 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7832PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO4488L_101 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
15A(Ta) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
![]() |
FDS8870 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.2m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 18A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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AO4488 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
15A(Ta) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF8736TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |