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小信号MOSFET   SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 FDN352AP
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A36-FDN352AP
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
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推荐型号

图片 商品 数据手册 关键参数 单价 库存 操作
 数据手册

SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A

¥0.9009 

阶梯数 价格
60: ¥0.9009
200: ¥0.6215
1,500: ¥0.5654
2,210 当前型号
 数据手册

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C

¥0.5915 

阶梯数 价格
90: ¥0.5915
200: ¥0.3822
1,500: ¥0.3315
3,000: ¥0.2938
4,600 对比
 数据手册

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
 数据手册

SOT-23

¥0.2445 

阶梯数 价格
210: ¥0.2445
1,500: ¥0.2115
1,743 对比
 数据手册

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

¥0.4563 

阶梯数 价格
110: ¥0.4563
200: ¥0.2938
1,432 对比
 数据手册

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

参数信息 常见问题

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    技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
封装/外壳 SOT-23
FET类型 P-Channel
Pd-功率耗散(Max) 500mW
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V
工作温度 -55°C~150°C
栅极电压Vgs ±25V
漏源极电压Vds -30V
连续漏极电流Id -1.3A
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