| 制造商编号 | TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W(Tc) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 54 毫欧 @ 4A,10V | |
| Vgs(th) | 3V @ 1mA | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 400 pF @ 10 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 10 nC @ 10 V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | DPAK+ | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源极电压Vds | 60 V | |
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V |
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具备高达150°C的工作温度，专为高温、高可靠性应用设计
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
2512封装，专为高电流、高功率应用设计，具备优异的电气性能和机械稳定性
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LP2301LT1G | 330,000 |
| CRSM013N06N4Z | 160,000 |
| LP2305DSLT1G | 48,000 |
| PJA3461-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| S-LP3407LT1G | 15,015 |
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