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功率MOSFET   HUML2020L8

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制造商编号 UT6MA3TCR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 N-UT6MA3TCR
供货 海外代购
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5A,5.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:59mΩ@5A,4.5V Pd-功率耗散(Max):2W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N+P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 5A,5.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs 59mΩ@5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 2W
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 HUML2020L8
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A-UT6MA3TCR

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生产日期  :  2217

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