| 制造商编号 | 2SK208-Y(TE85L,F) |
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| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-2SK208-Y(TE85L,F)-0 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
JFET N-CH 50V S-MINI
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | JFET(结型场效应晶体管) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 不同Id时电压-截止(VGSoff) | 400 mV @ 100 nA | |
| 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss) | 1.2 mA @ 10 V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 8.2pF @ 10V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | S-Mini | |
| 功率 | 100 mW | |
| 工作温度 | 125°C(TJ) | |
| 栅极电压Vgs | 50 V | |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 6.5 mA |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量： 60 | 倍数：1 |
生产年份 : 2024 年
具备高达150°C的工作温度，专为高温、高可靠性应用设计
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
2512封装，专为高电流、高功率应用设计，具备优异的电气性能和机械稳定性
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