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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1250pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23.5mΩ@7.5A,10V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：40 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E075ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V ±20V 2W(Ta) 23.5mΩ@7.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.705
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2,280 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V SOIC 增强 2.5W 4.9*3.9*1.57mm 1604 pF @ -15 V |
￥0.556
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180 | 对比 | |||||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V SOIC 增强 2.5W 4.9*3.9*1.57mm 1604 pF @ -15 V |
￥0.556
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10 | 对比 | |||||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥2.5734
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0 | 对比 |
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