| 制造商编号 | TPC8125,LQ(S |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-TPC8125,LQ(S |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP 翻译
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 13 毫欧 @ 5A,10V | |
| Vgs(th) | 2V @ 500uA | |
| Vgs(最大值) | +20V,-25V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2580 pF @ 10 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 64 nC @ 10 V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | 8-SOP | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源极电压Vds | 30 V | |
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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LQP03TN LQP03TG RF电感 薄膜电感
GD32E230 32位MCU 微控制器
专为中高压应用设计的高可靠性电子元件，支持从100V至5000V的宽电压范围
极低的静态功耗和低压差特性，能在较小的输入输出电压差下提供较大的输出电流
优异的防浪涌能力、良好的电压箝制性能和极低的反向漏电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 159,000 |
| S-LP3407LT1G | 93,000 |
| LP2301LT1G | 66,200 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 60,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
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