| 制造商编号 | TK30A06N1,S4X(S |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-TK30A06N1,S4X(S-0 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 30 A | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15 M0hms | |
| 栅极电压Vgs | 4V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | TO-220SIS | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 25W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 15mm | |
| 系列 | TK | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 1050 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 21 ns | |
| 封装/外壳 | 10.0*4.5*15.0mm |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：10
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量： 30 | 倍数：1 |
集成了高边和低边功率MOSFET的同步降压稳压器，3V~24V宽输入电压、24A连续输出电流
具备高达150°C的工作温度，专为高温、高可靠性应用设计
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| QX1722-CuH-S | 6,000 |
| AV404461 | 4,000 |
| ACS712ELCTR-20A-T | 2,500 |
| B57861S0103F040 | 1,921 |
| B72220S0271K101V87 | 1,419 |
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