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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT晶体管 | |
| 25°C时Td(开/关)值 | 30ns/70ns | |
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | |
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,15A | |
| 功率 | 267 W | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
| 开关能量 | 740uJ(开),600uJ(关) | |
| 栅极电荷 | 41 nC | |
| 测试条件 | 600V,15A,10 欧姆,15V | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 30 A | |
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 45 A | |
| 输入类型 | 标准 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 3 + | ￥59.9955 |
| 5 + | ￥37.0648 |
| 10 + | ￥30.6254 |
整包（请按30的倍数下单） |
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| 30 + | ￥26.3325 |
| 50 + | ￥25.4797 |
| 100 + | ￥24.8376 |
| 200 + | ￥24.5118 |
| 300 + | ￥24.4064 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量： 3 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CRG15T60A83L | 8,000 |
| NCE80TD65BT | 1,695 |
| NCE40TD120VT | 1,652 |
| NCE50TD120BT | 856 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RGS30TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥59.9955
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450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
￥65.4478
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
￥79.4573
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
￥79.4573
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
￥65.4478
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440 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥72.8359
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5 | 对比 |
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